터미널 유형의 여현제 아이지비티(IGBT) 스너버 커패시터
터미널 유형의 여현제 아이지비티(IGBT) 스너버 커패시터
- RUVA
- 중국
- 2~3주
1. 낮은 유도성 구조
2. 저손실 유전체
3. 높은 펄스 정격을 위해 양면 금속화
4. 고전압, 고주파 회로에 널리 사용됩니다.
5. 우수한 능동 및 수동 화염 저항 능력
6. 아이지비티(IGBT) 또는 GTO에 직접 장착되는 산업용 모터 제어 회로
IGBT용 스너버 커패시터(러그 단자) - 여현제 시리즈
소개
특징
낮은 유도성 구조
저손실 유전체
높은 펄스 정격을 위해 양면 금속화
고전압, 고주파 회로에 널리 사용됩니다.
탁월한 능동 및 수동 화염 저항 능력
아이지비티(IGBT) 또는 GTO에 직접 장착되는 산업용 모터 제어 회로
기술적인 매개변수
| 용량 범위 | 0.047μF ~ 5.0μF |
| 용량 허용 오차 | ± 5%; ± 10% |
| 정격(직류) 전압 | 1000Vdc ~ 3000Vdc |
| 참조 표준 | IEC61071, 영국/T 17702 |
| 정격(직류) 온도 | 85°C |
| 최대 적용 온도 | 85°C |
| 기후 테스트 수업 | 50/085/56 |
| 유전체 | 폴리프로필렌 필름 |
| 전극 | 이중 금속화 |
| 캡슐화 | 난연성 플라스틱 케이스(UL-수업 94 V-0) 및 에폭시 수지 |
| 탭 | 주석 도금 구리 |
| 단자 간 전압 테스트 | 1.5UN(10초,25°C±5°C) |
| 단자와 케이스 사이의 전압 테스트 | 3000Vac(60초,50/60Hz,25°C±5°C) |
| 유전 소산 인자 | 2×10-4 |
| 예상 수명 | ≥ 100,000h(유엔,Θ핫스팟=70°C) |
기술 데이터
중국 (μF) | 적혈구수@10kHz(mΩ) | 아이름스@60℃@10kHz(A) | 아이피크(A) | 디브이/디티 (v/μs) | 엘에스 &영어: nbsp);(nH) | 엘 &영어: nbsp);(mm) | 비 &영어: nbsp);(mm) | 시간&영어: nbsp); (mm) |
| 유엔=1000Vdc, 우리를=1500Vdc,우름스=480Vac | ||||||||
| 0.68 | 3.3 | 15 | 340 | 500 | 25 | 42.5 | 24.5 | 27.5 |
| 0.75 | 3.2 | 15 | 375 | 500 | 25 | 42.5 | 22 | 30 |
| 1.2 | 2.5 | 22 | 600 | 500 | 25 | 42.5 | 33.5 | 35.5 |
| 1.5 | 2.2 | 23.5 | 750 | 500 | 25 | 42.5 | 33.5 | 35.5 |
| 유엔=1200Vdc, 우리를=1800Vdc,우름스=500Vac | ||||||||
| 0.39 | 4.6 | 13 | 254 | 650 | 25 | 42.5 | 24.5 | 27.5 |
| 0.68 | 3.3 | 19 | 442 | 650 | 25 | 42.5 | 33.5 | 35.5 |
| 1.2 | 2.4 | 23 | 780 | 650 | 25 | 42.5 | 30 | 45 |
| 2.5 | 2.3 | 31 | 1138 | 455 | 35 | 57.5 | 35 | 50 |
| 3 | 2.1 | 32 | 1365 | 455 | 35 | 57.5 | 35 | 50 |
| 유엔=2000Vdc, 우리를=3000Vdc,우름스=630Vac | ||||||||
| 0.1 | 13 | 7.5 | 100 | 1000 | 25 | 42.5 | 15 | 26 |
| 0.22 | 5.1 | 12 | 220 | 1000 | 25 | 42.5 | 24.5 | 27.5 |
| 0.33 | 4.1 | 16 | 330 | 1000 | 25 | 42.5 | 28 | 37 |
| 0.47 | 3.2 | 20.5 | 470 | 1000 | 25 | 42.5 | 33 | 45 |
| 0.56 | 3 | 21.5 | 560 | 1000 | 25 | 42.5 | 33 | 45 |
| 1.2 | 2.4 | 29 | 840 | 700 | 35 | 57.5 | 35 | 50 |
제품 세부정보
케이스: 난연성 직사각형 플라스틱 쉘
터미널: 러그 터미널
함침: 에폭시 수지
다운로드
